高温化学气相沉积系统

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一、设备用途：

高温CVD设备主要采用在真空下，对样品加热作为CVD反应的环境和条件，通入反应气体（H₂、C₃H₆、Ar、TaCl₅和MTS），在圆板状样品表面沉积薄膜。

二、技术规格及要求：

1、工位及结构：单工位、立式、下盖电动双升降双层水冷不锈钢结构；

2、控制方式：手动；

3、极限真空度：<10Pa（冷态）,系统漏率优于2.0×10^-6PaL/s；

4、采用石墨加热元件，石墨屏蔽层，加热最高温度：1500℃；炉腔内径约为：200mm；控温方式：程序升温；恒温区高度：100mm；顶部进气；底部开口可升、降。

5、有效工作区温度控制精度：±1℃；有效工作区温度均匀性：±5℃；

6、加热有效均匀区为Ø50×100 mm（样品尺寸Ø50mm）。

7、加热体采用石墨两区加热（上段加热体长为100mm，下段加热体长为150mm）、分区控温方式，独立的控制电源，程序控温，PID调节；

8、抽气系统采用机械泵抽气系统，抽速：13.3L/S；

9、采用上进气方式，进气流量采用质量流量控制器进行控制；

10、气体/原料：5路；气路为1～3路：量程100～500sccm；原料为4、5路：蒸发器；管道伴热；气体主要由H₂、C₃H₆、Ar，有机源主要由TaCl₅和MTS，有机源通过H₂作为载气进入反应室；

11、在抽气过程中未达到真空状态(10Pa以下)设有禁止加热保护，使用过程中如系统突然暴露大气也应能处于保护状态，系统带有连锁保护，避免部件的损坏。

三、系统实施方案及组成

本设备主要由真空获得(测量)及充放气系统、真空室系统、加热炉及控温系统、气路系统、辅助系统、电气控制系统等几部分组成