磁控溅射镀膜机
一、设备用途：采用三靶共溅射方法对微球进行镀膜。二、主要技术性能指标：1、整体结构：采用上盖电动升降开启式结构，真空室上盖上面安装三个磁控靶，采用共溅射的方式进行镀膜；真空室底面向上安装旋转振动样品台，配有数显复合真空计测量真空，三路质量流量控制器控制靶进气流量。2、真空度及抽气机组：系统极限真空度≤5×10-5Pa；系统漏率：1×10-7PaL/S；真空抽气系统采用分子泵+机械泵抽气机组。3、样
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一、设备用途：
采用三靶共溅射方法对微球进行镀膜。
二、主要技术性能指标：
1、整体结构：
采用上盖电动升降开启式结构，真空室上盖上面安装三个磁控靶，采用共溅射的方式进行镀膜；真空室底面向上安装旋转振动样品台，配有数显复合真空计测量真空，三路质量流量控制器控制靶进气流量。
2、真空度及抽气机组：
系统极限真空度≤5×10-5Pa；
系统漏率：1×10-7PaL/S；
真空抽气系统采用分子泵+机械泵抽气机组。
3、样品台系统：
3.1、样品台：样品盘尺寸为内径Φ50mm半球；
3.2、在沉积室有一套样品盘，它们可以在真空室上盖打开的情况下进行更换，或者通过真空室正前方的DN240门开启更换。
微球运动激励装置设计采用螺线管敲击结合倾斜滚动旋转装置。
4、磁控溅射系统：
4.1、3英寸进口磁控靶3套以及相应电源；
4.2、磁控靶挡板3套；
4.3、磁控靶与样品距离手动调节，调节距离为：100mm～140mm。
5、气路：两种气体（一种为Ar，另一种未定）；气体从气源出来后，通过质量流量控制器控制，再进入三个磁控靶。每个磁控靶配一个质量流量控制器。
6、溅射室烘烤照明：采用红外加热除气方式，烘烤温度：150℃。
7、设备具有断水断电连锁保护功能，有防止误操作保护功能。
8、计算机控制系统，主要实现：（1）真空度的采集；（2）薄膜压力的采集；（3）磁控靶挡板的开启；（4）气体流量的采集和控制；（5）样品的敲击和旋转控制；（6）靶功率的控制。
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