磁控溅射镀膜系统
一、设备用途： 设备主要对柱状样品、平面样品制备单层膜和多层膜。 设备主机由乙方根据甲方技术要求设计加工安装调试完成，薄膜制备以及工艺由甲方完成。二、技术指标：1、整体结构：采用单室钟罩立式电动升降结构，底盘法兰固定不动，安装在设备台架上，真空室以及真空内部件采用不锈钢材料和真空材料，真空室上端和底盘法兰带有加强筋，全部采用氩弧焊接，外表面喷砂钝化处理。2、抽气系统：2.1、溅射室极限真空度：
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详细介绍
一、设备用途：
设备主要对柱状样品、平面样品制备单层膜和多层膜。
二、技术指标：
1、整体结构：采用单室钟罩立式电动升降结构，底盘法兰固定不动，安装在设备台架上，真空室以及真空内部件采用不锈钢材料和真空材料，真空室上端和底盘法兰带有加强筋，全部采用氩弧焊接，外表面喷砂钝化处理。
2、抽气系统：
2.1、溅射室极限真空度：2.0×10-5Pa（可烘烤），抽速：从大气条件下开始，不经烘烤，分子泵正常工作4小时后，真空度≤1.0×10-4Pa；
2.2、系统漏率：1×10-7PaL/S；
2.3、抽气机组；
3.1、磁控靶；
3.2、镀膜方式：两种样品，两种镀膜方式；
第一种镀膜方式是平面样品的镀膜：磁控靶背向溅射室中心，向外溅射，对旋转样品架上的平面样品进行镀膜；
第二种镀膜方式是柱状样品的镀膜：磁控靶面向溅射室中心，向内溅射，对真空室中心的旋转柱状样品进行镀膜；
3.3、电源线以及水管位置：在磁控靶上方，通过液压波纹管与真空室（底部）密封连接。
4、样品架系统：
样品共有两种：一种是柱状样品、一种是平面样品；
5、 磁控靶挡板系统；
6、气体控制系统；
7、防污板；
8、设备高度要求；
9、设备具有断水断电连锁保护功能，有防止误操作保护功能；
10、计算机控制系统。
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