小型单靶磁控溅射系统
一、设备用途：设备主要用于制备氧化物薄膜，也用于制备碳化物薄膜。二、技术指标：1、采用小型立式圆筒形真空室，上盖开启结构，不锈钢材料；2、溅射室极限真空度：6.7×10-5Pa，系统漏率：1×10-7Pa.L/S；3、真空抽气机组：系统配有国产分子泵以及机械泵抽气系统；4、磁控靶及电源：4.1、磁控靶：2英寸磁控靶1个，采用腾鳌真空生产的磁控靶；4.2、电源：RF：13.56MHz，500W，手动
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一、设备用途：
设备主要用于制备氧化物薄膜，也用于制备碳化物薄膜。
二、技术指标：
1、采用小型立式圆筒形真空室，上盖开启结构，不锈钢材料；
2、溅射室极限真空度：6.7×10-5Pa，系统漏率：1×10-7Pa.L/S；
3、真空抽气机组：系统配有国产分子泵以及机械泵抽气系统；
4、磁控靶及电源：
4.1、磁控靶：2英寸磁控靶1个，采用腾鳌真空生产的磁控靶；
4.2、电源：RF：13.56MHz，500W，手动匹配，1台；电源采用国产品牌。
5、镀膜方式：镀膜方式采用单靶溅射成膜；
6、样品台：具有加热、旋转功能；
6.1、样品尺寸：一工位可加热旋转样品台一套；最大可放置Φ50mm的样品一个；
6.2、样品台最高的加温温度为600℃，程序测温控温；
6.3、样品自转：转速为：0～50r/min；
6.4、挡板：采用直接转轴转动密封，手动操作；
7、气路：两路进气（N2、O2），一路用质量流量控制器控制，一路由浮子流量计控制；
8、真空室内有衬板，避免溅射材料溅射到腔室内壁上；
9、设备具有断水断电连锁保护功能
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