JSD-450Ⅰ型高真空磁控溅射系统
一、主要用途： 系统主要用于开发单层及多层功能膜—各种金属膜、半导体膜、介质膜等材料。二、技术指标： 1.系统结构：Φ450×300（mm）圆筒立式不锈钢结构； 2.极限真空度：系统经烘烤，可达2.0×10-5Pa；从大气到恢复真空到2.0×10-3Pa≤40分钟； 3.系统漏率：停泵关机12小时后真空度小于等于5Pa； 4.镀膜方式：靶在下，基片在上，向上溅射成膜。主溅射室上盖上装有样品转台，
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一、主要用途：
系统主要用于开发单层及多层功能膜—各种金属膜、半导体膜、介质膜等材料。
二、技术指标：
1.系统结构：Φ450×300（mm）圆筒立式不锈钢结构；
2. 极限真空度：系统经烘烤，可达2.0×10-5Pa；从大气到恢复真空到2.0×10-3Pa≤40分钟；
3.系统漏率：停泵关机12小时后真空度小于等于5Pa；
4. 镀膜方式：靶在下，基片在上，向上溅射成膜。主溅射室上盖上装有样品转台，下底盘上装有三个
永磁靶，靶直径Φ50㎜，靶内水冷。靶与基片距离为50～90mm连续可调（手动），并有调位距 离指
示；
5.样品转盘：在基片转盘上有三个基片位置放置样品托（样品托可以分别放置2英寸），其中两个工位
开孔安装加热炉。为了在2英寸基片台范围内提高膜厚均匀性，基片除了公转外，在镀膜位置实现自
转。基片的温度从室温至600℃（硅片上表面的温度，只需标定一次即可）连续可调可控，但两个加热
器不同时工作，每次只有一个工作（一台加热控温电源），在真空下可轮流互换工作。样品转盘由步进
电机驱动，计算机控制其公转到位及样品自转；
6.两套挡板系统：基片挡板与靶挡板；靶挡板共有三套，动密封，散齿轮传动，手动控制；样品挡板（１套），磁力拨叉，手动控制；
7.气路系统：两路质量流量计控制，流量范围0～100sccm。
三、系统组成：
本系统主要由真空获得系统、真空室系统、真空测量系统、气路系统、样品台系统、电控系统及水压保护系统等组成。
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