JSD-1300 高精度超高真空低溅射气压磁控溅射镀膜设备
TAJS(D)-1300高精度超高真空低溅射气压磁控溅射镀膜设备（单室）一、主要用途： 本设备主要用于实验室制备极紫外、软X射线、X射线、和中子光学薄膜元件。二、技术指标：1.真空指标：极限真空度：1.0×10-6Pa；2.从大气状态启动真空系统，两个小时内，真空可以达到3.0×10-4Pa；系统总漏率≤1.0×10-8PaL/S；3.设备的工作压强0.5～2.5mtorr；4.系统结构：Φ1
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TAJS(D)-1300高精度超高真空低溅射气压磁控溅射镀膜设备（单室）
一、主要用途：
本设备主要用于实验室制备极紫外、软X射线、X射线、和中子光学薄膜元件。
二、技术指标：
1.真空指标：极限真空度：1.0×10-6Pa；
2.从大气状态启动真空系统，两个小时内，真空可以达到3.0×10-4Pa；系统总漏率≤1.0×10-8PaL/S；
3.设备的工作压强0.5～2.5mtorr；
4.系统结构：Φ1300×360（mm）（内径）圆筒立式双升降不锈钢结构；
5.磁控靶尺寸：15英寸×5英寸×6mm 设计4个靶位，均布；靶与基片距离：40～100mm，用导向螺杆可手动连续调节；
6.基片尺寸：最大尺寸为Φ203（mm），厚度为50(mm)；
7.基片自转转速：0～300转/分，手动分档调速（50转一档）；
8.样品架随大公转盘转：0.005～5转/分，控制精度0.5%；公自转速度均可控可调，基片公转时与靶平行，偏差小于1mm；
9.真空室上盖双支撑升降，最大升降高度≥70mm,便于清洗和更换样品；
10.气路：四路质量流量计控制，每路0～20sccm；
11.溅射镀膜过程计算机控制，具有：复位功能、确认靶位功能、溅射镀膜时间控制功能和回转控制功能。
三、系统组成：
系统主要由溅射室、磁控靶及电源、工件架、烘烤照明系统、上盖双升降机构、气路系统、真空抽气及真空测量系统、台架、电控及计算机控制系统等组成。
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