【TAJSS】超高真空复合镀膜系统

一、主要用途：设备主要制备单层膜、多层膜和多组份的金属膜、氧化物薄膜等。二、技术指标：1、采用双室结构：一个主溅射室（溅射镀膜室）；一个为样品室（共溅射时样品取放）；2、溅射室极限真空度：6.7×10-5Pa，系统漏率：1×10-7PaL/S；进样室极限真空度：6.7×10-4Pa，系统漏率：1×10-7PaL/S；溅射室和进样室共用一套真空抽气机组。3、超真空真空磁控靶及电源：有效尺寸4英寸，数

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磁控溅射镀膜系统

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一、主要用途：设备主要制备单层膜、多层膜和多组份的金属膜、氧化物薄膜等。

二、技术指标：

1、采用双室结构：一个主溅射室（溅射镀膜室）；一个为样品室（共溅射时样品取放）；

2、溅射室极限真空度：6.7×10-5Pa，系统漏率：1×10-7PaL/S；进样室极限真空度：6.7×10-4Pa，系统漏率：1×10-7PaL/S；溅射室和进样室共用一套真空抽气机组。

3、超真空真空磁控靶及电源：有效尺寸4英寸，数量：3支，标准型永磁靶，水冷；RF：600W，一台。

4、镀膜方式：单层膜、交替多层膜、三靶共溅射；

5、沉积速率：10nm/min；不均匀性：小于5%（4英寸范围内）；三靶共溅射时，采用的是加热旋转样品台，样品与靶基距：110mm—130mm，，可手动连续调节；当采用射频靶镀膜时，安装摆动加热样品台，靶基距为：60mm—110mm。

6、样品台：共两套。一套为一工位加热旋转样品台；最大可放置4英寸的样品一个；样品通过进样室进样，样品台最高的加温温度为500℃，程序控温；样品实现自转，转速为：0~50转/分。一套为一工位加热摆动样品台（该样品台不旋转，不通过进样室对样品进行交接，直接通过真空室前方的铰链门直接进样）；最大可放置4英寸的样品一个；样品台最高的加温温度为500℃，程序控温；样品台可实现摆角，与靶面夹角范围为0°～45°。

7、气路：三路进气（N2、Ar、O2），分别用质量流量控制器控制；

8、溅射室烘烤照明：采用红外加热除气方式，烘烤温度：150℃；

9、真空室内有衬板，避免溅射材料直接溅射到溅射室真空壁上；

10、设备具有断水断电连锁保护功能；

11、旋转样品台溅射镀膜过程采用计算机控制，具有：（1）样品复位功能（2）确认靶位功能（3）溅射镀膜时间控制功能（4）样品自转控制功能（5）靶挡板开启控制功能等控制。

三、系统组成：本系统为两室结构的超高真空控溅射镀膜设备，主要由溅射室系统、样品室系统、真空抽气及测量系统、靶及电源系统、样品台系统、样品交接与传递系统、气路系统、电控及计算机控制功能、辅助系统等组成。