【SAJSD-1300】磁控溅射镀膜系统
一、主要用途： 该系统主要用于制备极紫外、软X射线、X射线和中子光学薄膜元件。二、技术指标：1、溅射室真空度：系统的极限真空：8.0×10-6Pa（经过36小时烘烤后达到）；从真空室大气状态开始（此时分子泵一直在开启状态，闸板阀关闭状态），两小时内，真空优于8.0×10-5Pa；系统总漏率≤1×10-7PaL/S；抽到极限真空后，关闭所有阀门12小时，真空度优于4Pa，系统的工作压强：0.1～0
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一、主要用途：
该系统主要用于制备极紫外、软X射线、X射线和中子光学薄膜元件。
二、技术指标：
1、溅射室真空度：系统的极限真空：8.0×10-6Pa（经过36小时烘烤后达到）；从真空室大气状态开始（此时分子泵一直在开启状态，闸板阀关闭状态），两小时内，真空优于8.0×10-5Pa；系统总漏率≤1×10-7PaL/S；抽到极限真空后，关闭所有阀门12小时，真空度优于4Pa，系统的工作压强：0.1～0.5Pa；
2、两个矩形阴极393.7×150.6mm(需方自购），其中靶材尺寸为203.2×88.9×6.35mm；阴极2个，圆形平面靶，靶材尺寸为101.5mm。
3、阴极周围加不锈钢屏蔽，用于限制溅射的角度范围，并限制4个源之间的交叉污染和预溅射时对样品的污染。
4、靶面到基片下表面的距离：阴极自带调节机构。
5、样品自转：基片自转速度：0～250转/分可调；无级变频调速。
6、温度：在真空室内部，相对于四个靶位，在真空室侧壁上，设置四个碘钨灯加热区，可以实现在公自转的基底上获得最高200℃的温度；同时可以在镀膜时，可以对样品进行烘烤100℃。
7、除阴极、磁流体和上盖采用氟橡胶全密封之外，全部采用金属密封。
三、系统组成：
本装置主要由溅射室系统、磁控靶及电源系统、工件架系统、烘烤照明系统、上盖双升降、进气系统、真空及测量抽气、台架系统、电控及计算机控制等部分组成。
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