JSD-700Ⅲ 磁控溅射镀膜系统
一、设备用途: 本设备为单室结构的多靶磁控溅射镀膜设备，可用于单质膜及多层功能膜、金属膜、半导体膜、介质膜等。二、技术指标：1．真空室采用立式前开门结构，尺寸为：Φ700×H742（mm），不锈钢材料；2．极限真空度：溅射室(经烘烤)真空度极限≤5×10-5Pa；3．系统漏率：停泵关机12小时后，溅射室真空度可达≤15Pa；4.系统抽速：工作真空：短时间暴露大气并充干燥氮气开始对真空室抽气，4
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一、设备用途:
本设备为单室结构的多靶磁控溅射镀膜设备，可用于单质膜及多层功能膜、金属膜、半导体膜、介质膜等。
二、技术指标：
1．真空室采用立式前开门结构，尺寸为：Φ700×H742（mm），不锈钢材料；
2．极限真空度：溅射室(经烘烤)真空度极限≤5×10-5Pa；
3．系统漏率：停泵关机12小时后，溅射室真空度可达≤15Pa；
4. 系统抽速：工作真空：短时间暴露大气并充干燥氮气开始对真空室抽气，40分钟内真空度≤5×10-4Pa；
5. 旁抽系统：旁抽系统采用一路CF35手动角阀抽气。通过三通和管道由KF40电磁截止阀使机械泵和分子泵切换；
6. 溅射靶：四支矩形永磁非平衡靶（约15英寸×5英寸），磁控靶不设置档板；
7. 样品转台：样品转台采用星形传动进行，共6根自转挂件转轴，有效溅射长度约300mm ，样品转台可加负脉冲偏压≤-500V。转台可连续回转，5～15转/分连续可调；
5．样品可加热，加热温度：室温～250℃，采用高精度控温表，程序控温；
6．进气系统：采用手动三路供气，三路单独进行流量控制单独进气；
7.系统采用计算机控制，计算机主要实现真空度的采集、样品公自转、加热温度、压强采集等功能。
三、系统组成：
该设备主要由真空抽气及测量系统、溅射室系统、磁控溅射靶及电源系统、样品台系统（样品台主体、偏压电源、样品加热)、气路系统、电器及计算机控制系统、辅助系统等各部分组成。
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