JSD-450Ⅱ 高真空多功能磁控溅射系统
JSD-450Ⅱ高真空多功能磁控溅射系统一、主要用途： 本系统为单室超高真空多功能磁控溅射镀膜系统，可用于开发单层及多层金属膜。二、技术指标：1.极限真空度：8×10-6Pa,系统漏率：1×10-7Pa.L/s；2.溅射靶：有效尺寸Ø100mm，数量：3支，永磁靶，水冷；3.样品衬底可烘烤，烘烤温度最高200℃，连续可调，采用红外加热方式；4.样品有效尺寸：适合于直径不大于100mm，厚度不大于
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JSD-450Ⅱ 高真空多功能磁控溅射系统
一、主要用途：
本系统为单室超高真空多功能磁控溅射镀膜系统，可用于开发单层及多层金属膜。
二、技术指标：
1. 极限真空度：8×10-6Pa,系统漏率：1×10-7Pa.L/s；
2. 溅射靶：有效尺寸Ø100mm，数量：3支，永磁靶，水冷；
3. 样品衬底可烘烤，烘烤温度最高200℃，连续可调，采用红外加热方式；
4. 样品有效尺寸：适合于直径不大于100mm，厚度不大于10mm的平面样品，有效溅射区直径不大于80mm；外径不大于120mm，内径不大于80mm，高度不 大于120mm的碗形样品内部平底面，有效溅射区直径不大于80mm；截面不大于25×25mm，长度不大于120mm的柱状样品，有效溅射的柱面区域长度不小于80mm；
5. 气体控制：气体流量通过两路质量流量计控制，流量范围0~100sccm；
6. 样品旋转托三套（平面、柱状）：样品实现公转自传，公转转速0~30转/分，自转转速为0~50转/分；现公转自传，公转转速0～30转/分，自转转速为0～50转/分；
7. 镀膜过程采用计算机控制，具有复位功能、确认靶位功能、溅射膜时间控制功能、样品自转公转控制功能、靶的遮挡功能。
三、系统组成：
主要由溅射室系统、磁控溅射靶及电源系统、自转公转样品台、挡板系统、真空抽气系统、真空测量系统、气路系统、样品负偏压系统、电控系统、计算机控制系统等组成。
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