PLD系统
一、设备用途： 制备超导薄膜、半导体薄膜、铁电薄膜、超硬薄膜等。二、主要技术指标：1.激光溅射沉积室，极限真空度优于：⒍6×10E-5Pa；工作真空度：40分钟内从大气抽到5×10-4Pa；系统漏率为：1×10-7PaL/s;2.激光束扫描装置：具有两个自由度； 3.样品架可加热及连续旋转，加热温度：800ºC±1ºC，旋转速度为：0～60转/分；样品最大尺寸为Ф60㎜
关键词：
产品分类：
详细介绍
一、技术指标：
1. 激光溅射沉积室，极限真空度优于：6.6×10E-5Pa；工作真空度：40分钟内从大气抽到5×10-4Pa；系统漏率为：1×10-7PaL/s;
2. 激光束扫描装置：具有两个自由度；
3. 样品架可加热及连续旋转，加热温度：800ºC±1ºC，旋转速度为：0～60转/分；样品最大尺寸为Ф60㎜一个； 计算机控制转速；
4. 激光靶材尺寸：Ф50×5㎜；尺寸可调；共四块，四块靶材可公转换位同时靶材可自转，自转速度为：0～60转/分，连续旋转；计算机控制；
5. 真空抽气采用600升/秒分子泵＋8升/秒机械泵；
6. 激光溅射沉积室尺寸：Ф450球型结构，箱体上开有连接激光靶、样品架、真空闸板阀、气路阀等法兰接口。
二、系统组成：
主要由激光沉积室、真空抽气及测量系统、样品台及加热旋转系统、激光旋转靶台系统、窗口与法兰组件系统、激光束扫描系统、电控系统、配气系统、辅助系统等部分组成。
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