TA – PECVDⅠ系统
TA–PECVDⅠ系统 一、主要用途： 该设备主要用于在玻璃瓶内表面沉积SiO2薄膜。二、技术指标：1、极限真空度：≤6×10-4Pa，真空漏率：5×10-6 PaL/S；2.三种不同尺寸样品，最多一次可同时做6个玻璃瓶样品；玻璃瓶外表面在大气中，内表面抽真空；3.真空室带有加热功能，可加热到100℃，通过碘钨灯加热；4.气体流量控制系统：共三路进气，分别为氧气、氩气和硅烷，气体流量可设定可控
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详细介绍
TA–PECVDⅠ系统
一、主要用途：
该设备主要用于在玻璃瓶内表面沉积SiO2薄膜。
二、技术指标：
1、极限真空度：≤6×10-4Pa，真空漏率：5×10-6 PaL/S；
2. 三种不同尺寸样品，最多一次可同时做6个玻璃瓶样品；玻璃瓶外表面在大气中，内表面抽真空；
3. 真空室带有加热功能，可加热到100℃，通过碘钨灯加热；
4. 气体流量控制系统：共三路进气，分别为氧气、氩气和硅烷，气体流量可设定可控制；为了精确控制气体流量，采用质量流量计控制，流量范围：0～200SCCM;
5. 设备带有断水断电联锁保护。
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