氧化物高温化学气相沉积系统
一、设备用途： 高温CVD设备主要采用在真空下，对样品加热作为CVD反应的环境和条件，通入反应气体，在板状样品表面沉积各种氧化物薄膜。二、技术指标：1、整体结构：采用圆柱形真空室前开门铰链结构，真空室双层水冷（上、下盖以及圆筒）。真空室选用304材料制造,真空室内外表面电解抛光处理。2、抽气系统：2.1、真空室极限真空度：5.0Pa；2.2、系统漏率：1×10-7PaL/S；2.3、抽气机组：采
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一、设备用途：
高温CVD设备主要采用在真空下，对样品加热作为CVD反应的环境和条件，通入反应气体，在板状样品表面沉积各种氧化物薄膜。
二、技术指标：
1、整体结构：采用圆柱形真空室前开门铰链结构，真空室双层水冷（上、下盖以及圆筒）。真空室选用304材料制造,真空室内外表面电解抛光处理。
2、抽气系统：
2.1、真空室极限真空度：5.0Pa；
2.2、系统漏率：1×10-7PaL/S；
2.3、抽气机组：采用国产TRP36直联式机械泵1台及可控阀门组成真空抽气系统；
3、样品架系统：
3.1、样品转动：速度1-30转/分钟可调，电动控制；
3.2、样品加热：样品可加热1000℃，控温精度±1℃。
4、气路系统：
有六路工艺气体，分别为四路氩气，一路氨气，一路氧气。其中四路氩气为载气，通过质量流量控制器进入源灌，然后进入喷淋盒；氧气和氨气分别通过质量流量控制器混气后直接进入喷淋盒。
5、计算机控制系统：
(1)真空的采集显示及真空度的控制，(2) 温度的显示以及温控表的控制，(3) 样品以及加热炉的运动控制，(4) 真空机组的控制，(5)各路气体流量的控制。
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