MOCVD系统
一、主要用途： 金属有机化学气相沉积系统主要用于金属氢化物薄膜的制备。二、技术指标： 1、真空室极限真空8.0×10-6Pa，其抽速应达到3小时抽到1.0×10-4Pa，漏率为：1.0×10-7PaL/s； 2、真空室压力调节范围0.1Pa～500Pa，精度±1％； 3、衬底可以旋转和控温，旋转速率0～60rpm连续可调，旋转平稳度好，最高温度800℃，控温精度±1K； 4、一路载气，流量量程
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详细介绍
一、主要用途：
金属有机化学气相沉积系统主要用于金属氢化物薄膜的制备。
二、技术指标：
1、真空室极限真空8.0×10-6Pa，其抽速应达到3小时抽到1.0×10-4Pa，漏率为：1.0×10-7PaL/s；
2、真空室压力调节范围0.1Pa～500Pa，精度±1％；
3、衬底可以旋转和控温，旋转速率0～60rpm连续可调，旋转平稳度好，最高温度800℃，控温精度±1K；
4、一路载气，流量量程100sccm，三路金属有机物配气气路量程分别为100sccm、50sccm、10sccm，流量精度 ±1％，可重复性±0.25％。压力控制器控制范围10Pa～1000Pa，精度±0.25％，响应时间小于20ms。温度控制范围：25℃～200℃，控温精度±0.1K。气路漏率小于5×10－9PaL/s。
三、主要组成：
金属有机化学气相沉积系统主要由配气系统、真空室及真空系统、控制系统三部分组成。
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