分子束外延设备（MBE ⅢB设备）
一、主要用途： 应用于研究和确定晶体生长机理及开展表面物理研究，并可生长各种半导体材料。可精确控制外延薄膜的厚度,成分和搀杂浓度,外延生长时可做原位分析与检测,实现原子尺度的外延生长。二、技术指标：1.极限真空：6.7×10-8Pa2.系统结构：Φ300×250（mm）圆形不锈钢；3.样品台：三工位，可公转自转，可升降调节，最高可加热至800℃；三、系统组成： 本系统主要由真空抽气系统、真空室
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一、技术指标：
1.极限真空：6.7×10-8Pa
2.系统结构：Φ300×250（mm）圆形不锈钢；
3.样品台：三工位，可公转自转，可升降调节，最高可加热至800℃；
二、系统组成：
本系统主要由真空抽气系统、真空室、进样室、样品台系统加热及控温系统等组成。
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