离子注入沉积真空靶室系统
一、主要用途：用途保密。二、技术指标： 1、整机漏率1*10-10Pa.m3/s； 2、球形真空室：尺寸约为Φ700，三个弧源，一个离子源； 3、转靶靶台与真空室绝缘，耐压值大于1000V； 4、真空室是非磁性材料； 5、工件架五套：二套平面、二套柱面、一套斜面； 6、实现电控控制功能。三、系统组成：该系统主要由真空抽气及测量系统、真空室系统、离子源接口、工件架系统、控制系统等组成。
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一、主要用途：用途保密。
二、技术指标：
1、整机漏率1*10-10Pa.m3/s；
2、球形真空室：尺寸约为Φ700，三个弧源，一个离子源；
3、转靶靶台与真空室绝缘，耐压值大于1000V；
4、真空室是非磁性材料；
5、工件架五套：二套平面、二套柱面、一套斜面；
6、实现电控控制功能。
三、系统组成：该系统主要由真空抽气及测量系统、真空室系统、离子源接口、工件架系统、控制系统等组成。
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